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BSS209PWH6327
  
产品属性
剪切带(CT)
类型
描述
选择
类别
分立半导体产品
单 FET,MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
630mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
550 毫欧 @ 630mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 3.5µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.3 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
115 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
300mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT323
封装/外壳
SC-70,SOT-323
基本产品编号
BSS209


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