您好!欢迎光临深圳市英瑞尔芯科技有限公司官方网站!
产品展示
新闻动态
联系我们

深圳市英瑞尔芯科技有限公司

地   址:深圳市福田区振华路现代之窗A座7B

联系人:刘小姐

电   话:186 6591 0262

微   信:186 6591 0262

BSS314PEH6327 当前位置:首页 > Infineon/英飞凌 > BSS314PEH6327

BSS314PEH6327
  


产品属性


类型
描述
选择


类别
分立半导体产品
单 FET,MOSFET


制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)


剪切带(CT)


Product Status
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
140 毫欧 @ 1.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 6.3µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.9 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
294 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT23
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
基本产品编号
BSS314




上一篇:IRLL014NTRPBF