产品属性
剪切带（CT）
类型 | 描述 | 选择 |
|---|---|---|
类别 | 分立半导体产品 单 FET，MOSFET | |
制造商 | Infineon Technologies | |
系列 | HEXFET® | |
包装 | 卷带（TR） | |
Product Status | 在售 | |
FET 类型 | P 通道 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
漏源电压（Vdss） | 20 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 780mA（Ta） | |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.7V，4.5V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 600 毫欧 @ 610mA，4.5V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 3.6 nC @ 4.45 V | |
Vgs（最大值） | ±12V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 97 pF @ 15 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 540mW（Ta） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | Micro3™/SOT-23 | |
封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | |
基本产品编号 | IRLML6302 |