频带: 2.7~3.5GHz 接收噪声系数:1.6dB 接收增益:27dB 接收驻波比:1.9/1.2 接收输出P1dB:10dBm 接收端供电:+5V@45mA 发射增益:29dB 发射驻波比:1.7/1.6 发射P1dB:28dBm@5V,31dBm@8V 发射供电:+5V@490mA,+8V@700mA 芯片尺寸:3.0mm×3.0mm×0.1mm
GT-TR207305是一款GaAs MMIC收发集成芯片,其频率范围覆盖2.7~3.5GHz,接收噪声系数典型值小于1.6dB,发射P1dB功率可达到31dBm。
电参数:( TA=25℃,Vd=+5V,VD1=VD2=5V/8V,VG=-0.7V,根据静态电流微调)
操作注意事项
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在氮气环境下保存。
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
静电防护:请严格遵守ESD防护要求,避免器件静电损伤。
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
装架操作:芯片安装可采用AuSn焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺。安装面必须清洁平整。
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。热超声键合温度150°C。球形键合劈刀压力40~50gf,楔形键合劈刀压力18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)。