频带: 1~2.35GHz 噪声系数:≦2dB (1.3GHz-2.3GHz) 增益:15dB-17dB 增益平坦度: ≦±0.7dB 输入输出驻波比:≦1.5 输出P1dB:≧13dBm 带外抑制:5dBc (3GHz-6GHz) 单电源供电:+5V@≦60mA 芯片尺寸:3.0mm×3.0mm×0.1mm
GT-MF8103是一款GaAs MMIC放大滤波多功能芯片,其频率范围覆盖1~2.35GHz,整个带内噪声系数典型值为2dB。GT-MF8103采用+5V供电。
电参数:( TA=25℃,Vd=+5V,VD1=VD2=5V/8V,VG=-0.7V,根据静态电流微调)
操作注意事项
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在氮气环境下保存。
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
静电防护:请严格遵守ESD防护要求,避免器件静电损伤。
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
装架操作:芯片安装可采用AuSn焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺。安装面必须清洁平整。
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。热超声键合温度150°C。球形键合劈刀压力40~50gf,楔形键合劈刀压力18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)。