产品属性
类型 | 描述 | 选择 |
|---|
类别 | 分立半导体产品 晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET |
制造商 | Infineon Technologies | |
系列 | HEXFET® | |
包装 | 卷带（TR） |
剪切带（CT）
产品状态 | 在售 | |
FET 类型 | N 通道 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
漏源电压（Vdss） | 55 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 110A（Tc） | |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8 毫欧 @ 62A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 146 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3247 pF @ 25 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 200W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | D2PAK | |
封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | |
基本产品编号 | IRF3205 |