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SI4214DDY-T1-GE3
  

产品属性

剪切带(CT)

类型
描述
选择
类别
分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
FET、MOSFET 阵列
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N-通道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
19.5 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
22nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
660pF @ 15V
功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SOIC
基本产品编号
SI4214


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