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SI7431DP-T1-GE3
  


产品属性


剪切带(CT)


类型
描述
选择
类别
分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
174 毫欧 @ 3.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
135 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.9W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8
基本产品编号
SI7431


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