您好!欢迎光临深圳市英瑞尔芯科技有限公司官方网站!
产品展示
新闻动态
联系我们

深圳市英瑞尔芯科技有限公司

地   址:深圳市福田区振华路现代之窗A座7B

联系人:刘小姐

电   话:186 6591 0262

微   信:186 6591 0262

FGHL75T65MQDT 当前位置:首页 > onsemi/安森美 > FGHL75T65MQDT

FGHL75T65MQDT
  

产品属性

类型
描述
选择
类别
分立半导体产品
单 IGBT
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
Product Status
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
300 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.8V @ 15V,75A
功率 - 最大值
375 W
开关能量
2.35mJ(开),1.25mJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
149 nC
25°C 时 Td(开/关)值
24ns/118ns
测试条件
400V,75A,4.7 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr)
107 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247-3


上一篇:FGHL75T65MQD