描述 | ||
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分立半导体产品 IGBT 模块 | ||
制造商 | Infineon Technologies | |
系列 | C | |
托盘 | ||
在售 | ||
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 | |
配置 | 半桥 | |
电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200 V | |
电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 450 A | |
功率 - 最大值 | 1600 W | |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2.15V @ 15V，300A | |
电流 - 集电极截止（最大值） | 5 mA | |
不同 Vce 时输入电容 (Cies) | 19 nF @ 25 V | |
输入 | 标准 | |
NTC 热敏电阻 | 无 | |
工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 底座安装 | |
封装/外壳 | 模块 | |
供应商器件封装 | 模块 | |
FF300R12 |
