产品属性
类型 | 选择 | |
|---|---|---|
分立半导体产品 IGBT 模块 | ||
制造商 | Infineon Technologies | |
系列 | C | |
包装 | 托盘 | |
产品状态 | 在售 | |
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 | |
配置 | 半桥 | |
电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200 V | |
电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 600 A | |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2.2V @ 15V，600A | |
电流 - 集电极截止（最大值） | 5 mA | |
不同 Vce 时输入电容 (Cies) | 38 nF @ 25 V | |
输入 | 标准 | |
NTC 热敏电阻 | 无 | |
工作温度 | -40°C ~ 150°C | |
安装类型 | 底座安装 | |
封装/外壳 | 模块 | |
供应商器件封装 | 模块 | |
基本产品编号 | FF600R12 |