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IKW25N120T2
  


产品属性


类型
描述
选择


类别
分立半导体产品
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单


制造商
Infineon Technologies
系列
TrenchStop®
包装
管件



产品状态
在售
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
50 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
100 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.2V @ 15V,25A
功率 - 最大值
349 W
开关能量
2.9mJ
输入类型
标准
栅极电荷
120 nC
25°C 时 Td(开/关)值
27ns/265ns
测试条件
600V,25A,16.4 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr)
195 ns
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
PG-TO247-3-1
基本产品编号
IKW25N120




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