产品属性
类型 | 描述 | 选择 |
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类别 | 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 |
制造商 | Infineon Technologies | |
系列 | TrenchStop® | |
包装 | 管件 |
产品状态 | 在售 | |
IGBT 类型 | 沟道 | |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 1200 V | |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 50 A | |
电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 100 A | |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2.2V @ 15V,25A | |
功率 - 最大值 | 349 W | |
开关能量 | 2.9mJ | |
输入类型 | 标准 | |
栅极电荷 | 120 nC | |
25°C 时 Td(开/关)值 | 27ns/265ns | |
测试条件 | 600V,25A,16.4 欧姆,15V | |
反向恢复时间 (trr) | 195 ns | |
工作温度 | -40°C ~ 175°C(TJ) | |
安装类型 | 通孔 | |
封装/外壳 | TO-247-3 | |
供应商器件封装 | PG-TO247-3-1 | |
基本产品编号 | IKW25N120 |