您好!欢迎光临深圳市英瑞尔芯科技有限公司官方网站!
产品展示
新闻动态
联系我们

深圳市英瑞尔芯科技有限公司

地   址:深圳市福田区振华路现代之窗A座7B

联系人:刘小姐

电   话:186 6591 0262

微   信:186 6591 0262

IKW40N120T2 当前位置:首页 > Infineon/英飞凌 > IKW40N120T2

IKW40N120T2
  

产品属性


类型
描述
选择
类别
分立半导体产品
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造商
Infineon Technologies
系列
TrenchStop®
包装
管件
产品状态
在售
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
75 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.2V @ 15V,40A
功率 - 最大值
480 W
开关能量
5.25mJ
输入类型
标准
栅极电荷
192 nC
25°C 时 Td(开/关)值
33ns/314ns
测试条件
600V,40A,12 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr)
258 ns
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
PG-TO247-3-1
基本产品编号
IKW40N120


上一篇:IKW40N120CS7