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STGWA60H65DFB
  


产品属性



类型
描述
选择
类别
分立半导体产品
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造商
STMicroelectronics
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
240 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2V @ 15V,60A
功率 - 最大值
375 W
开关能量
1.59mJ(开),900µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
306 nC
25°C 时 Td(开/关)值
66ns/210ns
测试条件
400V,60A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr)
60 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247-3
基本产品编号
STGWA60


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