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FDB0190N807L
  
产品属性
类型
描述
选择 
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
270A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
8V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.7 毫欧 @ 34A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
249 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
19110 pF @ 40 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.8W(Ta),250W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263-7
封装/外壳
TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片)
基本产品编号
FDB0190
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