类型 | 描述 | 选择 |
|---|---|---|
类别 | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | |
制造商 | Infineon Technologies | |
系列 | OptiMOS™ | |
包装 | ||
Product Status | 在售 | |
FET 类型 | N 通道 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
漏源电压（Vdss） | 80 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 180A（Tc） | |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.9 毫欧 @ 100A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 270µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 206 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 14200 pF @ 40 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 300W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | PG-TO263-7 | |
封装/外壳 | TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片） | |
基本产品编号 | IPB019 |
