优质的 MOS管 能够承受的电流峰值更高。一般情况下我们要判断主板上 MOS 管的质量高低， 可以看它能承受的最大电流值。 影响 MOS 管质量高低的参数非常多， 像极端电流、极端电压等。但在 MOS 管上无法标注这么多参数，所以在 MOS 管表面一般只标注了产品的型号，我们可以根据该型号上网查找具体的性能参数。
还要说明的是，温度也是 MOS管 一个非常重要的性能参数。主要包括环境温度、管壳温度、贮成温度等。由于 CPU 频率的提高， MOS 管需要承受的电流也随着增强，提供近百A 的电流已经很常见了。如此巨大的电流通过时产生的热量当然使 MOS 管“发烧”了。为了 MOS管 的安全，高品质主板也开始为 MOS 管加装散热片了。
二、MOS管需要注意的主要参数：1. 栅源击穿电压BVGS-在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开端剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。
2.开启电压VT-开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开端构成导电沟道所需的栅极电压；-规范的N沟道MOS管，VT约为3～6V；-经过工艺上的改良，能够使MOS管的VT值降到2～3V。
3. 漏源击穿电压BVDS-在VGS=0（加强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开端剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS-ID剧增的缘由有下列两个方面：
（1）漏极左近耗尽层的雪崩击穿
（2）漏源极间的穿通击穿-有些MOS管中，其沟道长度较短，不时增加VDS会使漏区的耗尽层不时扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直承受耗尽层电场的吸收，抵达漏区，产生大的ID。
4. 直流输入电阻RGS-即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比-这一特性有时以流过栅极的栅流表示-MOS管的RGS能够很容易地超越1010Ω。
5. 低频跨导gm-在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和惹起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导-gm反映了栅源电压对漏极电流的控制才干-是表征MOS管放大才干的一个重要参数-普通在非常之几至几mA/V的范围内。