米勒平台生成的基本概念
MOSFET可以简单正确地理解为推动源MOSFET键入电容(主要是栅源极电容)Cgs)电池充电全过程。
当Cgs门槛电压后，MOSFET会进入启用情况；当MOSFET启用后，Vds逐渐下降，Id此时开始上升MOSFET进入饱和状态区。
但由于米勒效应，Vgs它将持续一段时间，不会再上升Id而且已经做大了Vds还在下降，直到米勒电容充斥着电，Vgs再次升高到推动电压的值，此时MOSFET此时进入电阻区Vds完全下降，启用完毕。
因为米勒电容器被阻断了Vgs升高，然后就拒绝了Vds下降会延长消耗时间。(Vgs升高，则关断电阻器下降，进而Vds下降)
米勒效应在MOS推动中灭绝人性是由MOS米勒电容引起的米勒效应。
在MOS管启用全过程，GS电压升高到某个电压值后GS电压有稳定值，然后GS电压逐渐升高，直到完全关闭。
这一段怎么会有稳定值？
由于，在MOS启用前，D极电压超过G极电压，MOS生存电容Cgd当它关闭时，必须引入G极和其中的电荷中和存储的用电量MOSG极电压完全关闭后超过D极电压。米勒效应显著提高MOS启用损失。(MOS不能快速进入电源开关。
所以腾图推广就产生了！MOS时，Cgd启用越小，损耗越小。米勒效应不太可能完全消退。
MOSFET其实中国的米勒平台就是MOSFET典型的变大区标志。
精确测量数字示波器GS在电压升高的整个过程中，可以看到一个平台或凹痕，即米勒平台。
米勒平台生成的具体全过程
米勒效应指在MOS米勒平台的基本原理如下所示。
理论上，在G级和S级之间增加足够大的电容可以去除米勒效应。但是定时开关会拖得更长。一般最佳值加0.1Ciess电容值有优势。
米勒平台是下图中粗黑条和部分是米勒平台。
删除图删除了荷载指数 在第一个大转折处：Vds逐渐关断。Vds的转变根据Cgd内电阻和推动源产生全微分。Vds类似于线性下降，线性全微分是参数，然后在Vgs构建平台。
因为mos 的g d 由两侧电容引起的，即mos datasheet里的Crss。
这个链接是给的Cgd因此，电池充电Vgs变化不大，当Cgd冲到Vgs在水平条件下，Vgs才逐渐再次上升。
Cgd在mos刚启用的情况下，根据mos快速充放电，然后推动电压反向充电，分摊驱动电流Cgs电压升高减慢，平台发生。
t0~t1: Vgs from 0 to Vth.Mosfet没有，生存二极管的电流Df.
t1~t2: Vgs from Vth to Va. Id
t2~t3: Vds电流量再次下降Cgd，Vdd越越高越必须的时间段越长，Ig 驱动电流。
逐渐下降得很快，当Vdg接近零时，Cgd提升。直到Vdg成负，Cgd大幅提升，减缓。
t3~t4: Mosfet 在电阻器区域完全关闭，Vgs再次升高到Vgg。
平台中后期，VGS再次扩大，IDS变化不大是因为MOS饱和状态，但是，从小编的图片中，这个平台还是有长度的。
这个平台期可以认为是MOS 正处于变大期。
前一个转折点：MOS 截止日期，此时Cgs电池充电，Vgs向Vth逼进。前一个转折点：MOS 宣布进入变大后的转折点：MOS 宣布退出变大期，逐渐进入饱和期。
直线斜率为dt 当电压V增加到电容C（如控制器的导出电压）时，电容器中的电流可能会扩大：
I=C×dV/dt (1)
因而，向MOSFET当电压增加时，会导致输入电流Igate = I1 I如下图所示。
应用型(1)可用于右侧电压连接点：I1=Cgd×d(Vgs-Vds)/dt=Cgd×(dVgs/dt-dVds/dt) (2)
I2=Cgs×d(Vgs/dt) (3)
假如在MOSFET增加格栅-源电压Vgs，其漏-源电压Vds 它会下降(即使是非线性下降)。因此，连接这两个电压的负收获可以定义为:
Av=- Vds/Vgs (4)
将式(4)带入式(2)可获得:I1=Cgd×(1 Av)dVgs/dt (5)
栅-源极的总等效电路电容器在变换(关闭或关闭)的整个过程中Ceq为：Igate=I1 I2=(Cgd×(1 Av) Cgs)×dVgs/dt=Ceq×dVgs/dt (6)
式中(1 Av)这个项目被称为米勒效应，它描述了电子元件中导出和输入中间的电容反馈。当网格泄漏电压接近零时，可能会导致米勒效应。
Cds分离最严重的环节是变大区。
为什么？因为这个环节Vd转变最强烈。平台刚好是在这一环节产生。
你可以想:门流量Igate彻底被Cds没有电流流向流流向Cgs。
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Ciss=Cgs CgdCoss=Cds CgdCrss=Cgd