1、沟道
在上图中，下面的p型中间有一条狭窄的条形，促使上下两个p型极端连接在一起，因此mos管道导通后是电阻器的特性，因此其关键参数之一是导通电阻器MOS必须明确这一主要参数是否符合要求。
2、n型
图为p型MOS管，读者可以根据这张图了解n型，都是相反的。因此，不难理解，n如下图所示，在栅极加正压下会导致导通，而p型则反过来。
3、加强型
与耗光型相比，加强型是根据加厚型导电沟的厚度来导通的，如下图所示。栅极电压越低，p型源和漏极的共价键越接近中间，n衬底空气负离子越避开栅极，栅极电压达到一个值，称为阈值或障碍压力，由p分散的共价键连接在一起，产生安全通道，是图例的实际效果。因此，很容易理解，栅极电压必须低到一定水平才能导通，电压越低，安全通道越厚，导通电阻越小。由于静电场的抗压强度与间距平方米正相关，静电场强到一定水平后，电压降低引起的沟加厚不明显，n空气负离子的宽容越来越困难。耗光型是提前制作导通层，用栅极加厚或减薄来操纵源漏的导通。但这种管道一般不生产，在市场上基本看不到。因此，大伙儿平常说MOS管道，默认设置 是加强型。
4.上下对称
图例上下对称，或多或少有人问如何判断源极和漏极？其实基本原理上，源极和漏极确实是对称的，没有区别。但在具体应用中，厂家一般在源极和漏极之间连接二极管，起到保证作用。正是这种二极管决定了源极和漏极，使封装形式固定，有利于易于使用。亲爱的老师年轻时用过没有二极管的老师。MOS管。静电感应很容易穿透，通常放在铁陶罐中，其源极和漏极是随意连接的。
5.氢氧化物膜
图中标明该膜为绝缘层，用于电气隔离，促使栅极只产生静电场，不能根据直流电源，因此采用电压操作。在直流电源气上，栅极和源漏极是短路。不难理解，膜越薄：静电场效果越好，障碍物压力越小，同一格栅电压的导电能力越强。缺点是:越容易穿透，生产工艺难度系数越大，价格越高。例如，母级导通电阻器，1角RMB上下买一个，而2402等10毫欧级的，要2元多(大批量买。零售额在4元左右)。
6.不同于实体
图中只是基本原理，具体元件提升了源漏中间跨接线的维护二极管，进而区分了源极和漏极。具体部件，p类型，衬底是正开关电源，促使网格极提前成为相对负电压，因此p管，网格极不需要增加负电压，接地装置可以确保导电。相当于事先进行了不能导通的沟通，严格来说应该是耗光型。好处是显而易见的，使用时撇开负电压。
7、寄生电容
图中的栅极根据氢氧化物和衬底产生电容器，质量越来越高MOS管道，膜越薄，寄生电容越大，通常MOS实现管道寄生电容nF级。主要参数是mos必须清楚地考虑管道选择中最重要的主要参数之一。Mos用于操纵大型电子商务流通，通常规定数十K甚至数M电源开关工作频率，在这些主要用途中，网格数据信号具有沟通特点，工作频率越高，沟通组件越大，寄生电容器可以根据交流电路的方式，根据电流，产生网格电流。所消耗的电磁能量和发热量不容忽视，甚至成为关键问题。为了更好地追求完美和快速，必须推动强大的栅极，这也是事实。想象一下，弱推动数据信号瞬间变成高电平，但为了更好地填充寄生电容，必要的时间会导致上升沿减慢，对电源开关的工作频率造成重要危害，直到无法工作。
8.如何在变大区工作？
Mos管道也可以在变大区工作，而且很常见。使用镜像文件电流源、放大电路、反馈调整等mos由于管理工作在变大区域，mos管道的特点是，当沟道处于异常状态时，栅极电压会立即危及沟道的导电性，并表现出一定的线性相关性。由于栅极和源泄漏的保护，其输入电阻可视为无限。当然，随着工作频率的增加，特性阻抗非常小，在一定的工作频率下，越来越不容忽视。根据这一特点，这一高特性阻抗特性被广泛用于放大电路，放大电路分析的两个关键标准是虚连和虚断。这也是三极管无法比拟的。
9、发热原因
Mos管道烫伤的关键因素之一是寄生电容器在经常打开和关闭时具有特征阻抗和特征阻抗，产生电流。如果有电流，热，不是静电场型就没有电流。另一个因素是，当栅极电压升高缓慢时，导通应通过一个从关闭到导通的零界点。此时，导通电阻非常大，热量相对较强。第三个原因是导通后，沟道有电阻，主电流过大，导致发热。烫发是第一点和第三点。很多mos管道结温过高，说白了，结温是金属材料空气氧化膜下沟区的温度，一般为150℃。超过这个温度，MOS管道不太可能导通。温度降低时修复。注意这种维护的不良影响。