实际上MOS管一个ESD与敏感设备相比，其自身的输入电阻非常高，而网格源极间电容非常小，因此很容易通过外部磁场或静电磁感应通电，而且由于静电极强的场景难以排出正电荷，很容易导致静电击穿。
静电击穿有两种方法一是工作电压型，即格栅极的薄空气氧化层被击穿，导致格栅极与源极之间短路故障，或格栅极与漏极之间短路故障；
二是输出功率型，即镀层塑料薄膜铝板熔断，导致栅极引路或源极引路。
如今的mos管道不太容易被击穿，尤其是功率大的vmos,很多都有二极管保护。vmos栅极电容器大，磁感应出不来高压。如果遇到3DO型的mos冬天没有防静电环试，大部分都是摸一个挂一个。
与北方干躁地区不同，南方湿冷地区不易引起静电。也就是说，目前大多数地区都有静电。CMOS设备内部已经升级IO口腔保护。但是专家直接接触。CMOS设备引脚不是一个好习惯。至少降低引脚的可锻性。
静电充放电产生短时间大电流，脉冲电流的稳态值远低于设备排热的稳态值。因此，当静电充放电流量根据总面积小时pn结或肖特基结时，会产生较大的瞬时功率，产生部分过热，可能会使部分结温高达甚至超过原料的本征温度(如硅熔点1415)℃)，结区部分或几处融化pn结短路故障，设备完全无效。这种无效的关键在于设备内部区域的功率。功率越小，设备就越容易损坏。
反偏pn结比正偏pn在反偏标准下，使结损伤所需的能力只有正偏标准下的十分之一。这是因为大部分输出功率在结区核心消耗，而正偏时消耗在结省外的体电阻器上。对于双极装置，发射结的总面积通常小于其他结的总面积，结面比其他结更接近表面，因此发射结的衰退经常被观察到。除此之外，击穿工作电压高过100V或泄漏电流超过1nA的pn结(如JFET与基本大小相似的栅结相比)pn静电充放电更敏感。
一切都是对应的，不一定，MOS管道仅相对于其他设备更敏感，ESD偶然性有一个很大的特点，并非没有遇到MOS管可以击穿。另外，即使是造成的ESD，管道不一定会被击穿。
静电的基本物理特征
(1)能量吸引或抵抗；
(2)有静电场，与地面有电位差；
(3)会引起充放电流。
这三种情况是ESD以下三种情况通常会对电子元件造成危害：
(1)元件吸尘，改变路线间的特性阻抗，危及元件的基本功能和使用寿命；
(2)电缆护套和电导体因静电场或电流损坏而不能工作(完全损坏)；
(3)因瞬间静电场软击穿或电流过热而损坏元件，虽然仍能工作，但使用寿命受损。因此ESD对MOS管道的破坏很可能是一、三、二种情况，不一定是每次都是第二种情况。在上述三种情况下，如果元件完全损坏，将能够在制造和质量检验中被发现并清除，危害较小。假如元件轻度损伤，在一切正常检测中不容易被发觉，在这个情况下，经常因通过多次生产加工，乃至已在运用时，才被发觉毁坏，不仅查验不容易，并且损害亦难以预料。静电对电子元件的危害不亚于严重的火灾事故和爆炸。
MOS管道被击穿的原因及解决方案第一、MOS管道本身的输入电阻很高，栅极间电容很小，很容易被外部磁场或静电磁感应通电，而少量正电荷可以在极间电容上产生非常高的工作电压 (U=Q/C)，破坏管道。尽管MOS键入端有抗静电保护措施，但仍需小心。在储存和运输过程中，最好用不锈钢容器或导电原料包装，不要放入容易引起静电高压的化学原料或化纤纺织品中。专用工具、仪表盘、操作台等。在组装和调整过程中应具有良好的接地装置。为避免实际操作人员静电影响造成的损坏，如不适合穿涤纶、化纤衣服，手或专用工具在触摸引脚前最好先接地。调直弯曲或人工焊接设备导线时，应用的机械设备必须具有优良的接地装置。
第二、MOS电源电路键入端保护二极管，其通时电流容量一般为1mA，过大的瞬态输入电流(超过10mA)时，应串连键入保护电阻器。因此，在使用过程中，可以选择内部有保护电阻的电阻MOS管应。也有 由于保护电源电路获取的瞬时动能相对有限，大的瞬时数据信号和过高的静电工作电压护电源电路失效。因此，电铬铁在焊接过程中必须安全可靠地接地装置，以防止电击穿装置进入端。一般情况下，电源关闭后，电铬铁的余热回收可用于焊接，接地装置的引脚可先焊接。
MOS它是工作电压驱动元件，对工作电压非常敏感。悬挂在空气中的G容易受到外部影响MOS关闭外部电磁干扰G-S结电容电池充电，可长期存放。在实验中，G悬在空中是非常危险的，很多都是因为爆裂，G下拉电阻对地，旁通电磁干扰不易直接到达，一般可达10~20K。该电阻称为栅极电阻，功效1：给场效管带来偏置电压；功效2：具有泻放电阻(保护栅极G~源极S)。第一个效果很容易理解，这里解释第二个效果的基本原理：保护栅极G~源极S：场效管的G-S极间的阻值是挺大的，那样只需有少许的静电就能使他的G-S极间等效电路电容器两侧产生高工作电压。如果不立即排出这种少量静电泻，两侧的高压可能会导致场效管操作错误，甚至有可能击穿它G-S极；此时，在栅极和源极之间加入的电阻器可以排出上述静电泻，从而具有保护场效管的功效。
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