什么叫MOS管
MOS管是金属材料（metal）—金属氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效晶体管，或金属材料-绝缘物（insulator）—半导体。MOS管的source和drain可以交换，都是P型。backgateN型区中产生。在大多数情况下，这两个区域是相同的，即使两侧交换也不会损坏设备的特性。这种设备被认为是对称的。
双极晶体管将键入端电流的细微转换变大后，在导出端导出大电流转换。双极晶体管的收获定义为导出输入电流的比例（beta）。另一种晶体管称为场效管（FET），将工作电压转换为导出电流转换。FET收获相当于它transconductance， 将导出电流的变化定义为输出工作电压的变化比。目前市场上经常出现N沟和P沟，详情请参考右侧照片（N沟道耗光型MOS管）。P沟通一般为低压mos管。
根据静电场在电缆护套上的投射，场效管危及穿过晶体管的电流。事实上，没有电流通过绝缘物，所以FET管的GATE电流很小。最一般的FET用薄层色谱二氧化硅作为GATE极下绝缘物。这种晶体称为氢氧化物半导体（MOS）晶体管或氢氧化物半导体场效管（MOSFET）。由于MOS因此，它们已经在许多应用场所取代了双极晶体管。
MOS管的优点
1.可用于变大。由于场效管放大器的输入电阻很高，滤波电容可以很小，不需要电解电容。
2.高输入电阻特别适用于功能阻抗转换。常见于多级放大器的输入级功能阻抗转换。
3.可作为可调电阻。
4.可方便地作为直流电源使用。
5.可用作开关元件。
6.在电路原理上具有很高的灵敏度。网格偏差压力可为正负负零，三极管只在正方向偏差下工作，整流管只在负偏差压力下工作。此外，输入电阻高，可缓解信号源负荷，方便前配对。
MOS管道结构的基本原理
1.结构和符号(以N沟加强型为例)
两个高浓度值的N型区域作为泄漏极和源极蔓延到一个浓度较低的P型硅上，半导体表面覆盖二氧化硅电缆护套，并引出一个电级作为格栅压力。
别的MOS管标记2.原理(以N沟加强型为例)
1）VGS=0时，无论VDS总有一个正负极。PN结反偏，因此没有找到导电沟。VGS=0，ID=0。VGS必须超过0，管道才能工作。
2）VGS》0时，在Sio在物质中产生垂直平分半导体表面的静电场，抵抗P区多子空穴，吸引少子电子器件。VGS当达到一定值时，P区表面会产生反形层，两侧的N区会交流，产生导电沟。VGS>0→g吸引电子设备→反型层→导电沟。VGS↑→反型层增厚→VDS↑→ID↑。
3）VGS≥VT一会儿VDS较钟头：VDS↑→ID↑。
VT：打开工作电压，在VDS在功效下逐渐导电时VGS。VT=VGS—VDS。
4）VGS>0且VDS扩大到一定值后，靠近漏极的沟被夹断，产生夹断区。VDS↑→ID不会改变。
MOS管三极判断法
MOS管道的三个极分别是：G（栅压）,D（漏极）,S(源极)规定，只有当栅极和源极之间的工作电压超过一定的特殊值时，才能关闭漏极和源极。
1）分辨栅压G
MOS如果控制器关键起波整形，加强推动效果：MOSG数据信号波型不够陡峭，在评估转换过程中会导致大量电磁能耗损失，其不良反应是降低电源电路转换效率，MOS高烧不容乐观，容易被热损坏MOS管GS有一定的电容器，如果G数据信号不足以促进工作，就不会乐观地损害波形振荡的持续时间。
将G-S极短路故障，选择数字万用表R×1档，黑笔连接S极，红色直流电流表连接D极，电阻值应为几欧元至十欧元以上。如果发现一只脚的电阻值是无限的，并且在交换直流电流表后仍然是无限的，则确认该脚是G极，因为它与另外两个引脚是绝缘层。
2）分辨源极S、漏极D
拨打数字万用表R×1k齿轮测量三个引脚中间的电阻。用交换表技术测量两个电阻，其中电阻值较低（一般为数千欧元至数千欧元）的一个为正方向电阻。此时，黑直流电流表为S极，红直流电流表与D极相连。由于测试前提不同，测量RDS（on）值高于指南中列出的典型值。
3.测量泄漏-源通态电阻器RDS
有一个在源漏中间PN结，所以依据PN可以识别S极和D极正反方向电阻器。例如，使用500型数字万用表R×1档评测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，超过0.58W（典型值）。
测试流程：
MOS管道检查主要是区分MOS管走电、短路故障、短路、变大。
流程如下：
若未测量电阻值MOS管用走电。
1.移除连接栅压力和源极的阻力。数字万用表的红水笔不会改变。如果电阻器移除后指针逐渐退回高阻或无限大，则MOS管道电源不会改变，完好无损
2.然后是输电线MOS如果表针立即回到无限大互连接。如果表针立即回到无限大，则MOS完好无损。
收到记号笔MOS在源极S上，水笔收到了MOS在管道的漏极上，好的指针应该是无限的。
4、用一只100KΩ－200KΩ将电阻器连接到压和漏极上，然后收到记号笔MOS的源极S上，水笔收到MOS在管道的漏极上，此时指针上标注的值一般为0，此时为下正电荷，根据此电阻对正电荷MOS管道的格栅压力电池充电，导致格栅压力静电场。由于静电场导致导电通道和源极导通，数字万用表针偏移，偏移视角大，充放电性越好。
MOS管道的主要用途
1)工业生产行业:步进电机推广、电钻工具、工业生产开关电源电路。
2)新能源技术产业:太阳能发电逆变电源、充电桩、无人飞机。
3)道路运输行业:车辆逆变器、车辆HID安定器、电动车。
4）绿色工程行业：CCFLled节能灯、LED照明开关电源、金属卤化物灯电子镇流器。