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意法半导体(ST)推出MasterGaN2使电源适配器缩小体积80%,减重70%
 日期:2022/5/4 20:55:00 

意法半导体(STMicroelectronics;ST)是全球,提供与日常生活息息相关的智能的、高能效的产品及解决方案。意法半导体的产品无处不在,致力于与客户共同努力实现智能驾驶、智能工厂、智慧城市和智能家居,以及下一代移动和物联网产品。享受科技、享受生活,意法半导体主张科技引领智能生活(life.augmented)的理念。意法半导体2019年净收入95.6亿美元,在全球拥有10万余客户。

基于MasterGaN®平台的创新优势,意法半导体推出了MasterGaN2,作为新系列双非对称氮化镓(GaN)晶体管的首款产品,是一个适用于软开关有源钳位反激拓扑的GaN集成化解决方案。

意法半导体(ST)推出MasterGaN2 使电源适配器缩小体积80%,减重70%

两个650V常关型GaN晶体管的导通电阻(RDS(on))分别是150mΩ和225mΩ,每个晶体管都集成一个优化的栅极驱动器,使GaN晶体管像普通硅器件一样便捷易用。集成了先进的驱动功能和GaN本身固有性能优势,MasterGaN2可进一步提升有源钳位反激式变换器等拓扑电路的高能效、小体积和轻量化优势。

MasterGaN电力系统级封装(SiP)系列在同一封装中整合两个GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)和配套的高压栅极驱动器,并内置了所有的必备的保护功能。设计人员可以轻松地将霍尔传感器和DSP、FPGA或微控制器等外部设备直连MasterGaN器件。输入兼容3.3V-15V逻辑信号,有助于简化电路设计和物料清单,允许使用更小的电路板,并简化产品安装。这种集成方案有助于提高适配器和快充充电器的功率密度。

GaN技术正在推进USB-PD适配器和智能手机充电器向快充方向发展。意法半导体的MasterGaN器件可使这些充电器缩小体积80%,减重70%,而充电速度是普通硅基解决方案的三倍。

内置保护功能包括高低边欠压锁定(UVLO)、栅极驱动器互锁、专用关闭引脚和过热保护。9mmx9mmx1mmGQFN是为高压应用优化的封装,高低压焊盘之间的爬电距离超过2mm。

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