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来源：EETOP 博客 作者：许欢
链接：http://blog.eetop.cn/?1196765
MOS 管作为半导体领域最基础的器件之一，无论是在 IC 设计里，还是板级电路应用上，都十分广泛。目前尤其在大功率半导体领域，各种结构的 MOS 管更是发挥着不可替代的作用。作为一个基础器件，往往集简单与复杂与一身，简单在于它的结构，复杂在于基于应用的深入考量。因此，作为硬件开发者，想在电路设计上进阶，搞懂 MOS 管是必不可少的一步，今天来聊聊。
一、 MOS 管的半导体结构
作为半导体器件，它的来源还是最原始的材料，掺杂半导体形成的 P 和 N 型物质。
那么，在半导体工艺里，如何制造 MOS 管的？
这就是一个 NMOS 的结构简图，一个看起来很简单的三端元器件。具体的制造过程就像搭建积木一样，在一定的地基（衬底）上依据设计一步步“盖”起来。
MOS 管的符号描述为：
二、 MOS 管的工作机制
以增强型 MOS 管为例，我们先简单来看下 MOS 管的工作原理。
由上图结构我们可以看到 MOS 管类似三极管，也是背靠背的两个PN结！三极管的原理是在偏置的情况下注入电流到很薄的基区通过电子-空穴复合来控制CE之间的导通，MOS 管则利用电场来在栅极形成载流子沟道来沟通DS之间。
如上图，在开启电压不足时，N区和衬底P之间因为载流子的自然复合会形成一个中性的耗尽区。给栅极提供正向电压后，P区的少子（电子）会在电场的作用下聚集到栅极氧化硅下，最后会形成一个以电子为多子的区域，叫反型层，称为反型因为是在P型衬底区形成了一个N型沟道区。这样DS之间就导通了。
下图是一个简单的MOS管开启模拟：
这是MOS管电流Id随Vgs变化曲线，开启电压为1.65V。下图是MOS管的IDS和VGS与VDS 之间的特性曲线图，类似三极管。
下面我们先从器件结构的角度看一下MOS管的开启全过程。
1、Vgs 对MOS 管的开启作用
一定范围内 Vgs>Vth，Vds Vgs 为常数时，Vds 上升，Id 近似线性上升，表现为一种电阻特性。 Vds 为常数时，Vgs 上升，Id 近似线性上升，表现出一种压控电阻的特性。 即曲线左边 2、Vds对MOS管沟道的控制 当 Vgs>Vth，Vds 当 Vds>Vgs-Vth 后，我们可以看到因为DS之间的电场开始导致右侧的沟道变窄，电阻变大。所以电流Id增加开始变缓慢。当Vds增大一定程度后，右沟道被完全夹断了！ 此时DS之间的电压都分布在靠近D端的夹断耗尽区，夹断区的增大即沟道宽度W减小导致的电阻增大抵消了Vds对Id的正向作用，因此导致电流Id几乎不再随Vds增加而变化。此时的D端载流子是在强电场的作用下扫过耗尽区达到S端！ 这个区域为 MOS 管的恒流区，也叫饱和区，放大区。 但是因为有沟道调制效应导致沟道长度 L 有变化，所以曲线稍微上翘一点。 重点备注：MOS 管与三极管的工作区定义差别 三极管的饱和区：输出电流 Ic 不随输入电流 Ib 变化。 MOS 管的饱和区：输出电流 Id 不随输出电压 Vds 变化。 3、 击穿 Vgs 过大会导致栅极很薄的氧化层被击穿损坏。 Vds 过大会导致D和衬底之间的反向PN结雪崩击穿，大电流直接流入衬底。 三、 MOS 管的开关过程分析 如果要进一步了解MOS管的工作原理，剖析MOS管由截止到开启的全过程，必须建立一个完整的电路结构模型，引入寄生参数，如下图。 详细开启过程为： t0~t1 阶段：栅极电流对Cgs和Cgd充电，Vgs上升到开启电压Vgs(th)，此间，MOS没有开启，无电流通过，即MOS管的截止区。在这个阶段，显然Vd电压大于Vg，可以理解为电容 Cgd 上正下负。 t1~t2 阶段：Vgs达到Vth后，MOS管开始逐渐开启至满载电流值Io，出现电流Ids，Ids与Vgs呈线性关系，这个阶段是MOS管的可变电阻区，或者叫线性区。 t3~t4 阶段：渡过米勒平台后，即Cgd反向充电达到Vgs，Vgs继续升高至最终电压，这个电压值决定的是MOS管的开启阻抗Ron大小。 我们可以通过仿真看下具体过程： b: ZVS 零电压开关技术是可以消除米勒效应的，即在 Vds 为 0 时开启沟道，在大功率应用时较多。 c: 栅极负电压驱动，增加设计成本。 d: 有源米勒钳位。即在栅极增加三极管，关断时拉低栅极电压。 上面已经详细介绍了 MOS 管的工作机制，那么我们再来看 datasheet 这些参数就一目了然了。 极限值参数代表应用时的最高范围，功耗和散热是高功率应用时的重点。 体二极管： 在分立器件NMOS管中，S端一般衬底，所以导致DS之间有一个寄生二极管。 但是在集成电路内部，S端接低电位或者高电位，不一定接衬底，所以就不存在寄生二极管。 寄生二极管具有保护 MOS 管的作用，导出瞬间反向的大电流。 四、 MOS 管的驱动应用 MOS 的驱动是应用设计的重点，接下来我们聊聊有哪些驱动方式和特点。 4.1 直接驱动 驱动芯片直接输出 PWM 波 特点：驱动环路距离不能太远，否则因为寄生电感降低开关速度和导致振铃。另外，一般驱动器也难以提供很大的驱动电流。 4.2 推挽式驱动 PWM 驱动通过推挽结构来驱动栅极 特点：实现较小的驱动环路和更大的驱动电流，栅极电压被钳位在 Vb+Vbe 和 GND 与Vbe 之间。 4.3 栅极驱动加速电路 并联二极管可以分流，但是随着电压降低，二极管逐渐失去作用。 4.4 PNP关断电路 特点：PNP 在关断时形成短路放电，但是无法完全为 0，二极管 Don 可以钳位防止三极管击穿。 五、 小结 以上大概详细介绍了MOS管这一半导体基础元器件的工作原理和应用，具体到工作中还需要的是实际和实验，特别是不断在一些应用中，尤其是应用问题中加深理解。这样或许才能真正的把相关基础知识融入到自己的能力中，游刃有余的解决技术问题。搞技术嘛，和做人一样，从小处做，往高处看。 作者其他博客部分截图： （ ** 链接：http://blog.eetop.cn/?1196765 电脑端打开查看） 点击阅读原文查看半导体行业相关公众号有哪些？