您好！欢迎光临深圳市迅瑞创芯科技有限公司官方网站！
返回主站
|
会员中心
深圳市迅瑞创芯科技有限公司
马达驱动IC,LED手电筒驱动IC,LED控制IC,DCDC升压IC,DCDC降压IC,触摸IC
供应产品
新闻资讯
网站首页
公司介绍
新闻动态
产品展示
客户案例
联系我们
热线：0755-86003350
产品展示
MOSFET场效应管
充电IC
快充协议芯片
驱动IC芯片
电源管理IC
方案开发
新闻动态
公司新闻
新品开发
行业新闻
常见问题
联系我们
深圳市迅瑞创芯科技有限公司
地 址：深圳市宝安区西乡街道前进二路149号智汇创新中心A座8层803室
联系人：
电 话：0755-86003350
微 信：13480769332
2012（N-MOS）
当前位置：
首页
>
MOSFET场效应管
>
2012（N-MOS）
2012（N-MOS）
Green Device Available
Super Low Gate Charge
Excellent Cdv/dt effect decline
Advanced high cell density Trench
technology
相关标签：
低压MOSFET
,
2012（N-MOS）
,
上一篇：
6003（N-MOS）
下一篇：
XR3820（异步降压ic）
