一、特性
? 低待机电流 (小于 0.1uA)
? 低导通内阻 MOSFET 功率开关管
— 采用 MOS 工艺设计功率管
— 800 毫安通道功率管内阻 0.4 欧姆
? 内部集成续流二极管
— 无需外接续流二极管
? 超小型封装尺寸
— 采用 SOT23-6 封装
— 含引脚外形尺寸 2.92mm*2.8mm
? 较小的输入电流
— 集成约 15K 对地下拉电阻
? 内置带迟滞效应的过热保护电路 (TSD)
? 抗静电等级：3KV (HBM)
二、应用范围
? IR-CUT 驱动
? 电动玩具
? 步进电机驱动
三、概述
该产品采用 H 桥电路结构设计，采用高可靠性功率管工艺，特别适合驱动线圈、马达等感性负载。电路内部集成 N 沟道和 P 沟道功率 MOSFET，工作电压范围覆盖 2V 到 8V。27℃，VCC=6.5V 条件下最大持续输出电流达到 1A，最大峰值输出电流达到1.5A。
该单路为功率器件，本身具备一定内阻，电路的发热与负载电流、功率管导通内阻以及环境温度密切相关。电路设计有芯片级温度检测电路，实时监控芯片内部发热，当芯片内部温度超过设定值时(典型值 150℃)，产生功率管关断信号，关闭负载电流，避免因异常使用导致的温度持续升高，进而造成塑料封装冒烟、起火等严重安全事故。芯片内置的温度迟滞电路，确保电路恢复到安全温度后，才允许重新对功率管进行控制。