一、概述
?该产品采用 H 桥电路结构设计，内部集成 N 沟道和 P 沟道功率 MOSFET，特别适合驱动线圈、马达等感性负载。
?电路内部集成过温保护，当电路内部温度超过设定值时 (典型值 150℃)，关断负载电流。当电路的结温下降到预设温度(典型值 130℃)时，电路返回正常工作状态；但电路不具有短路保护功能，当输出对地短路、输出对电源短路、输出端短路时易导致电路损坏，使用时应避免发生短路，或者加入限流措施避免发生类似损坏。
?逻辑控制电源 VCC 与功率电源 VDD 内部完全独立，实际使用中应分开布线，禁止将 VCC 与 VDD直接接到一起，以防止 VDD 高压对电路 VCC 端造成损伤
二、特性
?低待机电流 (小于 0.1uA)
?工作电压范围：2V-5.5V
?最大持续输出电流：2.7A(VDD=4.5V)
?最大峰值输出电流：10A(VDD=4.5V)
?低导通内阻
— 1200 毫安输出电流时，内阻 0.2 欧姆
— 300 毫安输出电流时，内阻 0.15 欧姆
?较小的输入电流
— 逻辑输入 INA\INB 集成 15K 对地下拉电阻
?内置带迟滞效应的过热保护电路(TSD)
?抗静电等级：2KV (HBM)
三、应用范围
? 2-3 节 AA/AAA 干电池供电的玩具马达驱动
? 2-3 节镍-氢/镍-镉充电电池供电的玩具马达驱动
? 1 节锂电池供电的马达驱动