一、特性
低待机电流 (小于 0.1uA)
低导通内阻 MOSFET 功率开关管
— 采用 MOS 工艺设计功率管
— 2000 毫安通道功率管内阻 0.28 欧姆
— 200 毫安通道功率管内阻 0.23 欧姆
内部集成续流二极管
— 无需外接续流二极管
较小的输入电流
— 集成约 13K 对地下拉电阻
— 3V 驱动信号平均 225uA 输入电流
内置带迟滞效应的过热保护电路 (TSD)
抗静电等级：3KV (HBM)
二、应用范围
2-6 节 AA/AAA 干电池供电的玩具马达驱动
2-6 节镍-氢/镍-镉充电电池供电的玩具马达驱动
1-2 节锂电池供电的马达驱动
三、概述
该产品采用 H 桥电路结构设计，采用高可靠性功率管工艺，特别适合驱动线圈、马达等感性负载。电路内部集成 N 沟道和 P 沟道功率 MOSFET，工作电压范围覆盖 2V 到 9.6V。27℃，VDD=6.5V 条件下最大持续输出电流达到 2A，最大峰值输出电流达到 3.5A。
该单路为功率器件，本身具备一定内阻，电路的发热与负载电流、功率管导通内阻以及环境温度密切相关。电路设计有芯片级温度检测电路，实时监控芯片内部发热，当芯片内部温度超过设定值时(典型值 150℃)，产生功率管关断信号，关闭负载电流，避免因异常使用导致的温度持续升高，进而造成塑料封装冒烟、起火等严重安全事故。芯片内置的温度迟滞电路，确保电路恢复到安全温度后，才允许重新对功率管进行控制。