多节锂池保护芯片在研发生产和使用过程中难免会有故障，再加上人们对产品质量和可靠性要求越来越严格，导致芯片故障分析变得非常重要。通过对MPS多节锂池保护芯片的故障分析，人员可以发现设计缺陷、技术参数不一致、设计和操作不当等问题。
多节锂池保护芯片的故障分析的主要意义表现在以下几个方面:
1、能确定芯片失效机理。
2、能为芯片诊断故障提供有效信息。
3、方便设计师持续改进芯片的设计，使芯片满足设计规范。
多节锂池保护芯片的故障分析的主要步骤和内容：
1、集成电路开封：在保持芯片功能完整性的同时拆除集成电路，对芯片无效分析进行准备。
2、SEM扫描镜/EDX成分分析：材料的结构分析/缺陷观察、元素成分的常规微面积分析、正确测量成分尺寸等。
3、探针测试：芯片内部的电信号可以通过微探针快速获得。