如何恰当是使用三极管和尼克森MOS管：
1.NPN型三极管，合适射极接GND集电结接负荷到VCC的状况。要是基极工作电压高过射极工作电压（这里为GND）0.7V，即发射结正偏（VBE为正），NPN型三极管就可以刚开始通断。
基极用低电平驱动器NPN型三极管通断（高电平时不通断）；基极除限流电阻外，更优质的设计构思是，接下来拉电阻器10-20k到GND。
优势是：①使基极操纵电平由高降低时，基极可以迅速被降低，NPN型三极管可以迅速更靠谱地截至；
②系统软件刚通电时，基极是明确的高电平。
2.PNP型三极管，合适射极接VCC集电结接负荷到GND的状况。要是基极工作电压小于射极工作电压（这里为VCC）0.7V，即发射结反偏（VBE为负），PNP型三极管就可以刚开始通断。基极用高电平驱动器PNP型三极管通断（低电平时不通断）；基极除限流电阻外，更优质的设计构思是，接上拉电阻10-20k到VCC；
优势是：①使基极操纵电平由低变高时，基极可以迅速被拉升，PNP型三极管可以迅速更靠谱地截至；
②系统软件刚通电时，基极是明确的低电平。
对NPN三极管而言，较佳的设计构思是，负荷R12接进集电结和VCC中间。不足周全的设计构思是，负荷R12接进射极和GND中间。
对PNP三极管而言，较佳的设计构思是，负荷R14接进集电结和GND中间。不足周全的设计构思是，负荷R14接进集电结和VCC中间。
那样，就能够防止负荷的转变被藕合到操纵端，从电流的方向能够显著看得出。