单片晶体滤波器是采用蒸发与光刻技术生产的器件，在其表面装有金属电极的石英晶片组成的机电滤波器。其有点事不需要变压器、电感器和其他分立器件，所以比通用滤波器的体积更小。另外，只要得到了需要的加固装置、掩膜、设计数据等，它的成本就会非常之低。
一只石英晶体滤波器所呈现的显着的特性是通带滤波器还是间歇滤波器，取决于晶体谐振器所用的相关部件。
晶体滤波器中最常用的通带滤波器的一般特性我们将在这里做以下解释：
适用范围：通带滤波器根据外表基本结构不同可以分为2类：
窄通带滤波器”，其元件只由共鸣器和电容组成，并且设计的通带宽度为中心频率的0.005% ~ 0.6% 。最大带宽取决于晶体谐振器的电容比，精密的限定主要取决于谐振器的Q 值和频率的稳定性。
线圈和电容以串联或并联的形式与谐振器的各元件相连接，带宽的最底限度取决于线圈Q值的稳定性。另一方面，谐振器的电容比和表象特性易在最高限度时出现问题，它取决于线圈或变压器的稳定性。
“中等通带滤波器”是由很大部分的中间范围带宽的滤波器人工改造而成，或是由部分上述的窄通带滤波器组成的。
线圈在这些滤波器中被要求来抵消电路中谐振器和电容的作用。带宽的最大限度值与晶体的电容比和线圈的Q 值相关。低限度的决定条件与窄通带滤波器的相同。
严格来说，可实行的范围将会由几个条件的变化而不同，如特殊的要求，终端衰耗，带内波动，尺寸和价格等。
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