重磅消息！进一步扩展其碳化硅（SiC）产品组合，英飞凌推出650V CoolSiC™ MOSFET。
全新发布的CoolSiC™ MOSFET满足了包括服务器、电信和工业PS、太阳能系统、能源存储和电池化成、不间断电源（UPS）、电机控制和驱动以及电动汽车充电在内的大量应用与日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。
“随着新产品的发布，英飞凌完善了其600V / 650V细分领域的硅基、碳化硅以及氮化镓功率半导体产品组合，”英飞凌电源管理和多元化市场事业部高压转换业务高级总监Steffen Metzger表示，“这凸显了我们在市场中的独特地位：英飞凌是唯一一家能够提供基于这三种材料技术的广博产品的制造商。而全新CoolSiC™系列是我们矢志成为工业SiC MOSFET开关领域头号供应商的有力支持。”
650V CoolSiC™ 系列的优势与特点
650V CoolSiC™ MOSFET器件的额定值在27 mΩ-107 mΩ之间，既可采用典型的TO-247 3引脚封装，也支持开关损耗更低的TO-247 4引脚封装。与过去发布的所有CoolSiC™ MOSFET产品相比，全新650V系列基于英飞凌先进的沟槽半导体技术。通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，这确保了器件的出色可靠性、出类拔萃的开关损耗和导通损耗。此外，它们还具备最高的跨导水平（增益）、4V的阈值电压（Vth）和短路坚固性。总而言之，沟槽技术可以在毫不折衷的情况下，在应用中实现最低的损耗，并在运行中实现最佳可靠性。
与市面上其它硅基以及碳化硅解决方案相比，650V CoolSiC™ MOSFET能够带来更加吸引人的优势：更高开关频率下更优的开关效率以及出色的可靠性。得益于与温度相关的超低导通电阻（RDS(on)），这些器件具备出色的热性能。此外，它们还采用了坚固耐用的体二极管，有非常低的反向恢复电荷：比最佳的超结CoolMOS™ MOSFET低80%左右。其换向坚固性，更是轻松实现了98%的整体系统效率，如通过连续导通模式图腾柱功率因素校正（PFC）。
为了简化采用650V CoolSiC™ MOSFET的应用设计，确保器件高效运行，英飞凌还提供了专用的单通道和双通道电气隔离EiceDRIVER™栅极驱动器IC。这个解决方案（整合了CoolSiC™ 开关和专用的栅极驱动器IC）有助于降低系统成本和总拥有成本，以及提高能效。CoolSiC™ MOSFET可与其它英飞凌EiceDRIVER™ 栅极驱动器系列IC 无缝协作。
650V CoolSiC™ MOSFET系列共8个版本，采用两种插件TO-247封装，现已支持订购。三种专用栅极驱动器IC将于2020年3月起供货。
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