第三代半导体是以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体，相比第一代半导体硅（Si），具有禁带宽度大，高击穿场强，载流子迁移率高等优点，是目前各国都在竞相攀登的战略高地。
Si, SiC, GaN材料特性对比第三代半导体的应用，包括但不限于：
电动汽车的动力模块消费电子产业的电源模块，如最近很火的GaN充电器通信基站的功放模块特高压输电的电能转换模块，等等氮化镓功率放大器这些行业，每个都是万亿级的市场，而第三代半导体，在这当中也都占10%~30%不等的成本，所以不知是什么节目敢口出狂言，说市场不大。
相比硅器件与国外巨大的代差，第三代半导体的差距相对较小，但还是落后于国际先进水平。从产业链看，无论是上游的晶圆制造，元胞工艺，还是下游的封装，都未能形成具有国际竞争力的企业，与Infineon（英飞凌），Cree（科瑞）等行业巨头相比技术上还落后较多，某种程度上需要政策扶持才能更好地发展。
行业发展计划作为顶层设计，短期看作用可能不明显，但就像当年的电动汽车一样，大水漫灌之下，一夜之间全国各地诞生了无数的相关企业，虽然中间经历了骗补等丑闻，但经过激烈的市场竞争，大浪淘沙，还是诞生了如宁德时代，比亚迪等一批具有国际知名度的企业，也算是勉强实现了弯道超车吧。所以，第三代半导体，在政策和资本市场的支持下，假以时日，也会走出行业巨头。