第三代半导体是以碳碳复合材料（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体，相比第一代半导体硅（Si），具备禁带宽度大，高击穿场强，自由电子迁移率高优势，是现阶段世界各国都是在争相攀爬的发展战略堡垒。
Si, SiC, GaN原材料特点比照第三代半导体的运用，包含但不限于：
纯电动车的扭力控制模块消费电子产品产业链的电源模块，如近期火热的GaN充电头通信信号塔的功放模块高压直流输电的电磁能变换控制模块，这些氮化镓功率放大电路这种行业，每一个全是万亿元级的销售市场，而第三代半导体，在这里之中也都占10%~30%不一的成本费，因此不知道有什么电视节目敢大放厥词，说销售市场并不大。
相比硅元器件与海外惊人的代差，第三代半导体的差别相对性较小，但或是落伍于世界领先水准。从全产业链看，不论是上下游的晶圆制造，元胞加工工艺，或是中下游的封装测试，都无法产生，与Infineon（英飞凌），Cree（科瑞）等行业巨头相比技术性上还落伍较多，某种意义上必须国家扶持政策才可以能够更好地发展趋势。
行业发展趋势方案做为文化建设，短期内看功效很有可能不非常明显，但如同当初的纯电动车一样，大水漫灌下，一夜之间国内各地问世，尽管正中间经历了骗补等丑事，但在猛烈的市场需求，水之梦，或是问世了如赣锋锂业，比亚迪汽车等一批具，也算得上凑合完成了弯道超越吧。因此，第三代半导体，在国家政策和金融市场的大力支持下，假以时日，也会摆脱行业巨头。