碳化硅（SiC）又叫金钢砂，它是用石英沙、石油焦、木渣、食用盐等原材料根据热处理炉持续高温冶炼厂而成，实际上碳化硅很早以前就被看到了，它的特征是：有机化学性能平稳、传热系数高、线膨胀系数小、耐磨损性能好，强度大（硬度为9.5级，仅次世界最硬的金钢石（10级））、传热性能优质、持续高温抗氧化能力强等。因为纯天然成分很少，碳化硅关键多见人工合成。
二、碳化硅半导体元器件因为碳化硅具备无法比较的优质性能，碳化硅是宽禁带半导体器件的一种，主要特点是高导热系数、高饱合及其电子器件飘移速度和高击磁场强度等，因而被运用于各种各样半导体器件之中，碳化硅元器件关键包含功率二极管和功率开关管。功率二极管包含结能隙肖特基（JBS）二极管、PiN二极管和超结二极管；功率开关管关键分为氢氧化物半导体材料场效开关管（MOSFET）、结型场效开关管（JFET）、双极型开关管（ ** T）、绝缘层栅双极型晶体三极管（IGBT）、门极可关闭可控硅（GTO）和发射极可关闭可控硅（ETO）等。
1、SiC 肖特基二极管
肖特基二极管最明显的特征是反向恢复时间短速度快，可是就传统式的肖特基二极管它的抗压一般不超过200V，可是碳化硅肖特基二极管能有着较短修复时长实践活动，与此同时在正方向工作电压也降低，抗压也大大的超出200V，典型性的工作电压有650V、1200V等，此外在反向恢复导致的耗损层面碳化硅肖特基二极管也是有非常大优点。在开关电源电路输入变压器一部分如果用碳化硅肖特基二极管可以用完成更多的直流电源导出。
2、SiC MOSFET
针对传统的的MOSFET，它的关断情况电阻器非常大，开关损耗非常大，额定值工作中结温低，可是SiC MOSFET导插电 阻、与此同时键入电容器大大的减少，额定值工作中结温也是做到200°C。可靠性指标大大的提高，平稳的超迅速本身二极管，因而不用外界续流二极管。
三、碳化硅半导体材料生产商SiC电力工程电子元器件的产业发展关键以法国英飞凌、英国Cree公司、GE、ST意法半导体体和日本罗姆企业、等为意味着。
四、碳化硅半导体材料运用碳化硅半导体元器件，其高频率、高效率、持续高温的特点尤其合适对高效率或环境温度规定苛刻的运用。可普遍使用于太阳能发电逆变电源、汽车电源、新能源车电机驱动器、UPS、充电桩、功率开关电源等行业。