类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | 分立半导体产品 晶体管 FET，MOSFET FET、MOSFET 阵列 | |
制造商 | Infineon Technologies | |
系列 | HEXFET® | |
包装 | 卷带（TR） | |
产品状态 | 在售 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
配置 | 2 N-通道（双） | |
FET 功能 | 逻辑电平门 | |
漏源电压（Vdss） | 55V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.7A | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50 毫欧 @ 4.7A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 36nC @ 10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 740pF @ 25V | |
功率 - 最大值 | 2W | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | |
供应商器件封装 | 8-SO | |
基本产品编号 | IRF734 |
