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SI2323DS-T1-GE3
  

类型
描述
全选
类别
分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
39 毫欧 @ 4.7A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
19 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1020 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
750mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
基本产品编号
SI2323


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