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BSC0702LSATMA1
  

类型
描述
全选
类别
分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.3 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 49µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
30 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4400 pF @ 30 V
FET 功能
标准
功率耗散(最大值)
83W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TDSON-8
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
BSC0702


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