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FDMS6681Z
  
产品属性
剪切带(CT)

类型
描述
选择
类别
分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带(TR)
产品状态

FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21.1A(Ta),49A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.2 毫欧 @ 22.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
241 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
10380 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),73W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-PQFN(5x6)
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
FDMS6681


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