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IRLML5203TRPBF
  

产品属性


剪切带(CT)


类型
描述
选择
类别
分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
98 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
14 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
510 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.25W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
基本产品编号
IRLML5203


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