您好!欢迎光临深圳市英瑞尔芯科技有限公司官方网站!
产品展示
新闻动态
联系我们

深圳市英瑞尔芯科技有限公司

地   址:深圳市福田区振华路现代之窗A座7B

联系人:刘小姐

电   话:186 6591 0262

微   信:186 6591 0262

NVTFS4C13NWFTAG 当前位置:首页 > onsemi/安森美 > NVTFS4C13NWFTAG

NVTFS4C13NWFTAG
  

产品属性

剪切带(CT)


类型
描述
选择
类别
分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
9.4 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
15.2 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
770 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3W(Ta),26W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-WDFN(3.3x3.3)
封装/外壳
8-PowerWDFN
基本产品编号
NVTFS4


上一篇:NVTR4502PT1G