类型 | 描述 | 选择 |
|---|---|---|
类别 | 分立半导体产品 晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET | |
制造商 | Infineon Technologies | |
系列 | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
包装 | 管件 | |
产品状态 | 在售 | |
FET 类型 | N 通道 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
漏源电压（Vdss） | 40 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 195A（Tc） | |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 毫欧 @ 100A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.9V @ 150µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 225 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7330 pF @ 25 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 230W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-220AB | |
封装/外壳 | TO-220-3 | |
基本产品编号 | IRFB7437 |
