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MUN5214DW1T1G
  

产品属性

剪切带(CT)


类型
描述
选择
类别
分立半导体产品
晶体管
双极(BJT)
双极晶体管阵列,预偏置
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
晶体管类型
2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
电阻器 - 基极 (R1)
10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2)
47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
80 @ 5mA,10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)
500nA
频率 - 跃迁
-
功率 - 最大值
250mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装
SC-88/SC70-6/SOT-363
基本产品编号
MUN5214


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