您好!欢迎光临深圳市英瑞尔芯科技有限公司官方网站!
产品展示
新闻动态
联系我们

深圳市英瑞尔芯科技有限公司

地   址:深圳市福田区振华路现代之窗A座7B

联系人:刘小姐

电   话:186 6591 0262

微   信:186 6591 0262

STGF10NB60SD 当前位置:首页 > ST/意法半导体 > STGF10NB60SD

STGF10NB60SD
  


产品属性



类型
描述
选择
类别
分立半导体产品
晶体管
IGBT
单 IGBT
制造商
STMicroelectronics
系列
PowerMESH™
包装
管件
产品状态
在售
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
23 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
80 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.75V @ 15V,10A
功率 - 最大值
25 W
开关能量
600µJ(开),5mJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
33 nC
25°C 时 Td(开/关)值
700ns/1.2µs
测试条件
480V,10A,1 千欧,15V
反向恢复时间 (trr)
37 ns
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商器件封装
TO-220FP
基本产品编号
STGF10


相关标签:ST, STGF10NB60SD,
上一篇:SI7172DP-T1-GE3