您好!欢迎光临深圳市英瑞尔芯科技有限公司官方网站!
产品展示
新闻动态
联系我们

深圳市英瑞尔芯科技有限公司

地   址:深圳市福田区振华路现代之窗A座7B

联系人:刘小姐

电   话:186 6591 0262

微   信:186 6591 0262

PSMN4R8-100BSE 当前位置:首页 > NXP/恩智浦 > PSMN4R8-100BSE

PSMN4R8-100BSE
  

产品属性

剪切带(CT)


类型
描述
选择
类别
分立半导体产品
单 FET,MOSFET
制造商
Nexperia USA Inc.
系列
-
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.8 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
278 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
14400 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
405W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本产品编号
PSMN4R8


上一篇:DS125BR820NJYR