产品属性
类型 | 描述 | 选择 |
|---|
类别 | 分立半导体产品 IGBT 模块 |
制造商 | Infineon Technologies | |
系列 | C | |
包装 | 托盘 |
Product Status | 在售 | |
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 | |
配置 | 半桥 | |
电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200 V | |
电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 320 A | |
功率 - 最大值 | 1100 W | |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2.15V @ 15V，200A | |
电流 - 集电极截止（最大值） | 5 mA | |
不同 Vce 时输入电容 (Cies) | 14 nF @ 25 V | |
输入 | 标准 | |
NTC 热敏电阻 | 无 | |
工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 底座安装 | |
封装/外壳 | 模块 | |
供应商器件封装 | 模块 | |
基本产品编号 | FF200R12 |