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FF200R12KT4
  
产品属性
类型
描述
选择
类别
分立半导体产品
IGBT 模块
制造商
Infineon Technologies
系列
C
包装
托盘
Product Status
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
半桥
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
320 A
功率 - 最大值
1100 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.15V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值)
5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
14 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
FF200R12

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