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STD5NK50ZT4
  

产品属性

剪切带(CT)

类型
描述
选择
类别
分立半导体产品
单 FET,MOSFET
制造商
STMicroelectronics
系列
SuperMESH™
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.5 欧姆 @ 2.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
28 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
535 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
70W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
STD5NK50


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