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IRF6775MTRPBF
  

物料属性

絕緣帶封裝 (CT)





離散式半導體產品
單一 FET、MOSFET
製造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包裝
編帶和捲軸封裝 (TR)
Product Status
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)
150 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
4.9 A (Ta)、28 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)
10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
56mOhm @ 5.6A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5V @ 100µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1411 pF @ 25 V
FET 特點
-
功率耗散 (最大值)
2.8W (Ta)、89W (Tc)
工作溫度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
表面黏著式
供應商元件封裝
DIRECTFET™ MZ
封裝/外殼
DirectFET™ 等距 MZ
基礎產品編號
IRF6775


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