物料属性
絕緣帶封裝 (CT)
離散式半導體產品 單一 FET、MOSFET | ||
製造商 | Infineon Technologies | |
系列 | HEXFET® | |
包裝 | 編帶和捲軸封裝 (TR) | |
Product Status | 有源 | |
FET 類型 | N 通道 | |
技術 | MOSFET (金氧) | |
汲極至源極電壓 (Vdss) | 150 V | |
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C | 4.9 A (Ta)、28 A (Tc) | |
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) | 10V | |
Rds On (最大值) @ Id、Vgs | 56mOhm @ 5.6A、10V | |
Vgs(th) (最大值) @ Id | 5V @ 100µA | |
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 36 nC @ 10 V | |
Vgs (最大值) | ±20V | |
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 1411 pF @ 25 V | |
FET 特點 | - | |
功率耗散 (最大值) | 2.8W (Ta)、89W (Tc) | |
工作溫度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
安裝類型 | 表面黏著式 | |
供應商元件封裝 | DIRECTFET™ MZ | |
封裝／外殼 | DirectFET™ 等距 MZ | |
基礎產品編號 | IRF6775 |