描述 | 选择 | |
|---|---|---|
类别 | 分立半导体产品 单 FET，MOSFET | |
制造商 | Wolfspeed, Inc. | |
系列 | E-Series, Automotive | |
包装 | 管件 | |
产品状态 | 在售 | |
FET 类型 | N 通道 | |
技术 | SiCFET（碳化硅） | |
漏源电压（Vdss） | 1200 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 32A（Tc） | |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 15V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 97.5 毫欧 @ 17.9A，15V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.6V @ 5mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 57 nC @ 15 V | |
Vgs（最大值） | +19V，-8V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1480 pF @ 1000 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 145W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-247-3 | |
封装/外壳 | TO-247-3 |
