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IPW65R019C7
  


产品属性



类型
描述
选择
类别
分立半导体产品
单 FET,MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ C7
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
75A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
19 毫欧 @ 58.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 2.92mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
215 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
9900 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
446W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO247-3
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
IPW65R019


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