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SCTW35N65G2V
  

产品属性

类型

选择

分立半导体产品
单 FET,MOSFET

STMicroelectronics
系列
Automotive, AEC-Q101

管件

在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
45A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
18V,20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
67毫欧 @ 20A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
73 nC @ 20 V
Vgs(最大值)
+22V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1370 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
240W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 200°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
HiP247™
封装/外壳
TO-247-3

SCTW35


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