产品属性
类型 | 选择 | |
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分立半导体产品 单 FET,MOSFET | ||
STMicroelectronics | ||
系列 | Automotive, AEC-Q101 | |
管件 | ||
在售 | ||
FET 类型 | N 通道 | |
技术 | SiCFET(碳化硅) | |
漏源电压(Vdss) | 650 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 45A(Tc) | |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 18V,20V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 67毫欧 @ 20A,20V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 1mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 73 nC @ 20 V | |
Vgs(最大值) | +22V,-10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1370 pF @ 400 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 240W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 200°C(TJ) | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | HiP247™ | |
封装/外壳 | TO-247-3 | |
SCTW35 |